您知道元素半導(dǎo)體，化合物半導(dǎo)體和本征半導(dǎo)體嗎？

在以下內(nèi)容中，編輯器將報(bào)告元素半導(dǎo)體，化合物半導(dǎo)體和本征半導(dǎo)體。

如果半導(dǎo)體是您想知道的焦點(diǎn)之一，則不妨與編輯者一起閱讀本文。

1.元素半導(dǎo)體導(dǎo)論元素半導(dǎo)體是具有相同元素的半導(dǎo)體特性的固體材料，即電阻率約為10-5?107Ω·cm，微量雜質(zhì)和外部條件的變化將顯著改變其導(dǎo)電性固體材料。

在元素周期表中，金屬和非金屬元素之間具有十二種具有半導(dǎo)體特性的元素，硼（B），金剛石（C），硅（Si），鍺（Ge），灰錫（Sn），磷（P ），灰砷（As），黑銻（Sb），硫（S），硒（Se），碲（Te），碘（I）。

硅是半導(dǎo)體工業(yè)中使用最廣泛的硅，這在很大程度上歸因于二氧化硅的特殊性能。

首先，二氧化硅薄膜層可以有效地掩蓋最重要的受體和施主雜質(zhì)的擴(kuò)散，從而為器件制造過(guò)程中的選擇性擴(kuò)散提供最理想的掩膜，從而可以準(zhǔn)確地形成器件的組裝圖案其次，具有氧化膜的硅表面具有比自由表面更好的電學(xué)特性，因此硅器件更容易解決表面鈍化問(wèn)題，并且容易獲得良好的重復(fù)性和器件特性的穩(wěn)定性。

另外，由于二氧化硅，它是非常穩(wěn)定的絕緣體。

它夾在硅和金屬之間以形成金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

它是MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)，后者是一種單極器件，僅使用多數(shù)載流子來(lái)工作。

由于化合物半導(dǎo)體材料的氧化物具有一些本質(zhì)上難以克服的缺點(diǎn)，因此，硅MOSFET目前是唯一可以廣泛使用的MOS器件。

2.化合物半導(dǎo)體簡(jiǎn)介閱讀了什么是元素半導(dǎo)體之后，讓我們看一下什么是化合物半導(dǎo)體？一般而言，化合物半導(dǎo)體是指結(jié)晶無(wú)機(jī)化合物半導(dǎo)體，這意味著它們由兩個(gè)或多個(gè)元素確定。

由的原子比形成的化合物，并具有某些半導(dǎo)體性質(zhì)，如禁帶寬度和能帶結(jié)構(gòu)。

包括晶體無(wú)機(jī)化合物（例如III-V，II-VI化合物半導(dǎo)體）及其固溶體，非晶態(tài)無(wú)機(jī)化合物（例如玻璃半導(dǎo)體），有機(jī)化合物（例如有機(jī)半導(dǎo)體）和氧化物半導(dǎo)體。

一般而言，化合物半導(dǎo)體是指結(jié)晶無(wú)機(jī)化合物半導(dǎo)體。

主要是二元化合物，例如砷化鎵，磷化銦，硫化鎘，碲化鉍，氧化亞銅等，其次是二元和多種化合物，例如砷化鎵鋁，銦鎵砷磷，砷化鎵磷，硒化銅銦和一些稀有化合物稀土化合物（例如SeN，YN，La2S3等）。

通常使用Bridgman方法（從熔體中生長(zhǎng)單晶的方法），液體密封的Czochralski方法和垂直梯度凝固方法來(lái)制備化合物半導(dǎo)體單晶，并且它們的薄膜和薄膜是通過(guò)外延制備的，化學(xué)氣相沉積等。

超薄的微結(jié)構(gòu)復(fù)合材料。

用于制備光電器件，超高速微電子器件和微波器件。